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IPD038N06N3 G /MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD038N06N3 G的规格信息
IPD038N06N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:3.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:188 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:70 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:30 ns

零件号别名:IPD038N06N3GATMA1 IPD38N6N3GXT SP000397994

单位重量:4 g

供应商IPD038N06N3 G
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPD038N06N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD038N06N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPD038N06N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
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18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPD038N06N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城IPD038N06N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPD038N06N3 G航都大厦10I0755-23990975
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPD038N06N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD038N06N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPD038N06N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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